深亚微米MOS晶体管直流模型关键参数的研究

摘要

MOS3模型对于沟道长度在1微米的器件的数字分析有良好的适用性,但随着集成电路工艺的不断发展,MOSFET沟道长度进一步减小,生产工艺也发生了变化.在深亚微米的短沟道工艺下,原有的MOS3直流模型已不能有效地反映出MOSFET的直流特性了.该文在不考虑器件结构和物理工作特性的情况下,只对沟道中间低掺杂区城做模型,找出深亚徽米MOS静态管直流模型的关键参数,并提出对关键参数进行修正的方法.