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机译:一个0.11.4 GHz电感低噪声放大器,13 dBm IIP3和24 dBm IIP2,180 nm CMOS
Univ Elect Sci &
Technol Dept Commun Engn 2006 Xiyuan Ave Chengdu 611731 Sichuan Peoples R China;
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Low-noise amplifier (LNA); inductorless; input-referred third-order intercept point (IIP3); input-referred second-order intercept point (IIP2); noise cancellation; complementary configuration; complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS);
机译:一个0.11.4 GHz电感低噪声放大器,13 dBm IIP3和24 dBm IIP2,180 nm CMOS
机译:具有13 dBm的40–67 GHz功率放大器
机译:用于IEEE 802.11ad通信系统的90nm CMOS中具有13dBm的Psat和9.1%的PAE的高速驱动60GHz功率放大器
机译:集成在CMOS 180nm中的25dBm 1-GHz功率放大器,用于无线功率传输
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:一个60GHz 13 dBm完全集成的65 nm RF CmOs功率放大器
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE