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机译:一种新型真空外延升降(VELO),用于分离硬GAAs基板/载体系统,用于更绿色半导体LED生产
OSRAM Opto Semicond GmbH Leibnizstr 4 D-93055 Regensburg Germany;
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IHP Technol Pk 25 D-15236 Frankfurt Oder Germany;
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Vacuum epitaxial lift-off (VELO); InGaAlP TF-LED; Reuse GaAs; AlAs etching; HRXRD; mu-PL;
机译:一种新型真空外延升降(VELO),用于分离硬GAAs基板/载体系统,用于更绿色半导体LED生产
机译:Si衬底上GaAs太阳能电池的外延剥离工艺
机译:背钝化外延剥离GaAs / AlGaAs金属-半导体-金属光电探测器
机译:利用外延剥离技术制造表面声波半导体耦合器件GaAs-LiNbO / sub 3 /结构
机译:利用外延剥离技术开发热电冷却的IV-VI半导体二极管激光器。
机译:通过半导体和介电混合膜的相分离实现一步涂覆处理的光电晶体管
机译:使用MgS释放层从III-V衬底上外延剥离II-VI半导体
机译:集成,灵活,高效的太阳能电池:外延剥离Gaas太阳能电池和启用基板重复使用。