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机译:发现基于外延和超薄钛酸锶锶的电阻转换位的两种竞争性转换机制
resistive switching; thin films; switching mechanism; dielectric properties; impedance spectroscopy; epitaxial growth;
机译:发现基于外延和超薄钛酸锶锶的电阻转换位的两种竞争性转换机制
机译:基于互补切换机制的3位电阻RAM读写方案
机译:多种机制在竞争性节奏振荡器之间切换电耦合,突触抑制的神经元。
机译:基于钛酸锶的电阻式开关存储器件的脉冲开关过程中的能量耗散
机译:表现出电阻切换的金属氧化物膜和超晶格的外延电沉积
机译:多重机制切换的电耦合突触抑制的神经元竞争节奏振荡器之间
机译:多种机制可在竞争性节奏振荡器之间切换电耦合,突触抑制的神经元