(PS176)シリコンエピタキシャル成長における律速段階反応の活性化エネルギー及び反応速度係数による解析

摘要

結晶シリコンの(100)面エピタキシャル成長において、SiCl2 は重要な分子であり、SiCl2 のSi-Cl 結合の解離反応が成長過程の律速段階であると報告されている[1]。本研究ではSi-Cl 結合の解離反応として、過去に報告されている反応式(1)の反応機構とは別の機構を経由した式(2)及び式(3)の置換反応が量子化学計算により得られた。本研究では、式(2)及び式(3)をいくつかの条件で解析し、活性化エネルギー及び反応速度係数によって比較した。