SiCパワ一デバイスの動向と展望

摘要

SiCパワーデバイスの市場親模はまだ30億円／年と特定用途に限定されたものでしかなく、低コストの大口径高品質基板技術、MOSプロセスなどの要素技術、さらに特性を引き出すための低熱抵抗·高温実装技術、応用システムでの使いこなし技術など、やるべきことが山積されている。 SiCパワーデバイスが広く市場に受け入れられていくためには、これらの問題を多くの研究者·技術者が関与して解決していくことが不可欠である。 本特集を機にこれまでSICに関与していなかった材料分野の方々からもこの分野の開発への参画を期待したい。