SiパワーデバイスとSiCパワーデバイスの現状と技術開発動向

摘要

SiCはSiに比べて破壊電界強度が約10倍と大きいため高耐圧化が可能、逆に言えばSiの約10分の1のベース厚みで同耐圧のデバイスが作れることになり、オン電圧·損失の大幅低減がはかれる。また、飽和電子速度が約2倍でキャリアライフタイムが小さいため高速化が可能、熱伝導度が約3倍と高く且つ高温動作が可能、等の多くの特長があり、理想的なパワーデバイスの出現が期待出来る。本稿ではこれらSiパワーデバイスの現状と更なる改善への取り組み、及び、SiCパワーデバイスの研究·開発の現状と動向を概説する。