耐放射線性SiC半導体デバイス開発の現状

摘要

ガンマ線照射による炭化ケイ素（SiC）金属－酸化膜－半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）のチャンネル移動度（μ）及びしきい値電圧（V_T）の変化に関して説明する。 更に、酸素（O）や金（Au）といった重イオン入射によりSiC pnダイオード中に発生する過渡電流について述べる。