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机译:具有二态陷阱辅助隧穿电流行为的Al_2O_3 / SiO_2 / 4H-SiC堆叠结构的去俘获特性
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机译:陷阱辅助隧穿对双栅隧道场效应晶体管中陷阱辅助隧穿电流的影响
机译:通过非常薄的SiO_2 / ZrO_2栅介质堆叠的陷阱辅助隧穿电流模型
机译:高带隙4H-SiC衬底的高k / SiO_2叠层介质中的二态电流传导
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:采用各种HfO2 / siO2堆叠电介质的mOs结构中的光致隧穿电流
机译:载流子质量差异对共振隧穿结构电流 - 电压特性的影响