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机译:GaCl载气流速对氢化物气相外延生长GaN薄膜性能的影响
GaN; Hydride vapor-phase epitaxy; Semiconductors;
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机译:混合气体和衬底温度对氢化物气相外延生长在Si(111)衬底上的Gan纳米棒结构性能的影响
机译:氢化物气相外延生长的GaN的光学和结构性质研究
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:氢化物与金属有机气相外延复合生长GaN薄膜的裂纹研究
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机译:胂含量对VpE(气相外延) - 氢化物技术制备的Ga(x)In(1-x)外延层组成,载流子浓度,迁移率和生长速率的影响