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机译:从NH3和Ga(CH3)(3)进行GaN沉积过程中气相动力学的分析
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机译:与CH3NH2,(CH3)(2)NH和(CH3)(3)N的原子氯反应的气相动力学的实验和理论研究
机译:从头算和DFT研究消除动力学的2-取代的N,N-二甲基氨基甲酸乙酯[(CH3)(2)NCOOCH(2)CH(2)Z,Z = CH2C6H5,C6H5,C(CH3)= CH2]气相
机译:通过NH3周期性中断生长的金属有机化学气相沉积在GaN上形成InGaN自组装量子点
机译:AlN,GaN及其合金的金属有机气相沉积。
机译:GaN基三相有源电力滤波器的设计与实现
机译:系统表征含有H 2 SO 4 + X的气相二元预成核络合物,x = NH 3)NH 2,(CH 3)2NH,(CH 3)3N,H 2 O,(CH 3)OH,(CH 3)2O,HF,CH3F, PH3,(CH3)pH2,(CH3)2ph,(CH 3)3P,H 2 S,(CH 3)SH,(CH 3)2S,HCl,(CH 3)C1)。计算研究
机译:使用有机金属前体在alN沉积过程中发生的气相产物的鉴定:((CH3)2alNH2)3