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【24h】

Temperature dependence of the Hall response in doped antiferromagnets - art. no. 020408

机译:掺杂反铁磁体中霍尔响应的温度依赖性-艺术没有。 020408

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摘要

Using the finite-temperature Lanczos method, the frequency-dependent Hall response was calculated numerically for the t-J model on the square lattice and on ladders. At low doping, both the high-frequency R-H(*) and the dc Hall coefficient R-H(0) follow qualitatively similar behavior at higher temperatures, being holelike for T>T(s)approximate to1.5J and weakly electronlike for T0. [References: 21]
机译:使用有限温度Lanczos方法,针对t-J模型在方格和梯子上的频率相关霍尔响应进行了数值计算。在低掺杂下,高频RH(*)和dc霍尔系数RH(0)在较高温度下都遵循定性相似的行为,对于T> T(s)大约为1.5J呈孔状,对于T 0的温度变化很大。 [参考:21]

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