Correction to Redox-Active Molecular Nanowire Flash Memory for High-Endurance and High-Density Nonvolatile Memory Applications (vol 7, pg 27306, 2015)

Zhu Hao; Pookpanratana Sujitra J.; Bonevich John E.; Natoli Sean N.; Hacker Christina A.; Ren Tong; Suehle John S.; Richter Curt A.; Li Qiliang

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Correction to Redox-Active Molecular Nanowire Flash Memory for High-Endurance and High-Density Nonvolatile Memory Applications (vol 7, pg 27306, 2015)

机译：针对高耐久性和高密度非易失性存储应用的氧化还原活性分子纳米线闪存的校正（第7卷，第27306页，2015年）

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《ACS applied materials & interfaces》 |2016年第30期|共1页
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Zhu Hao; Pookpanratana Sujitra J.; Bonevich John E.; Natoli Sean N.; Hacker Christina A.; Ren Tong; Suehle John S.; Richter Curt A.; Li Qiliang;
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