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The melting temperature of bulk silicon from ab initio molecular dynamics simulations

机译:从头算分子动力学模拟看本体硅的熔化温度

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摘要

We estimated a melting temperature of T-m similar to 1540 +/- 50 K at zero pressure for silicon from constant enthalpy and constant pressure (NPH) Born-Oppenheimer Molecular Dynamics (BOMD) simulations of a coexisting crystalline-liquid phase. The computed Tm is below the experimental melting point of 1685 K, but it is consistent with a previously predicted first-order liquid-liquid phase transition (LLPT) at a critical point T-c similar to 1232 K and P-c similar to -12 kB [P. Ganesh, M. Widom, Phys. Rev. Lett. 102 (2009) 075701], which is in a highly supercooled state.
机译:我们通过共存的结晶液相的焓和恒压(NPH)Born-Oppenheimer分子动力学(BOMD)模拟,估计了硅在零压力下的T-m熔融温度,类似于1540 +/- 50K。计算出的Tm低于实验熔点1685 K,但与先前预测的临界温度Tc(类似于1232 K)和Pc类似于-12 kB时的一阶液相-液相转变(LLPT)一致[P 。 Ganesh,M。Widom,物理学。莱特牧师102(2009)075701],其处于高度过冷状态。

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