Скорость поверхностной генерации носителей заряда по границе раздела полупроводник-стекло

摘要

Предложена методика определения временной зависимости скорости поверхностной генерации по границе раздела полупроводник-диэлектрик. Показано, что в структурах МДП, изготовленных на основе кремния п-типа проводимости, покрытого слоем свинцово-боро-силикатного стекла, скорость поверхностной генерации является функцией времени.