a型氢化非晶硅表面上等离子表面处理的金属氧化物半导体结构

摘要

氢化非晶硅属于用于薄膜晶体管制造使用和薄膜太阳能电池技术中最有前景的一类半导体,因为与晶体硅技术相比,氢化非晶体硅为基础的设备产品更加便宜.本文到调查和制备了更多类型的氧等离子源的氢化非晶体硅半导体的表面区域的超薄二氧化硅薄膜.目标重点在于调查氧化物/半导体界面性.以下三种基本类型的氧等离子体源首次应用于氢化非晶体硅的表面处理:i)与等离子阳极氧化有关的电感耦合等离子体;ii)射频等离子体作为积极氧离子的来源,用于等离子浸没离子注入过程;iii)高压下阻止绝缘介质放电.