オゾンプロセス技術によるレジストパターンのスリミング - リソグラフィの限界を越えたレジストパターンを実現

摘要

半導体デバイスの高性能化·高集積化は、リソグラフィー技術、特に露光装置の技術革新により牽引されてきた。加速する微細化のロードマップに対応するため、露光装置の光源波長は、i線（365 nm）、KrFエキシマレーザ（248 nm）、ArFエキシマレーザ（193 nm）と短波長化されている。 また、変形照明や位相シフトマスクなどの超解像化技術の併用により、光源波長以下の微細パターンが形成されている。 しかしながら、露光装置の技術革新と共に、装置の高額化が進んでいる。 リソグラフィー関係の装置は設備投資の主要な部分を占める様になってきている。