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【24h】

半導体製造のクリーン化技術-プラズマエッチング装置のパーティクル低減:エッチング装置におけるパーティクルのモニタリングと発塵の抑制

机译:半导体制造的净化技术-等离子蚀刻设备中的颗粒减少:蚀刻设备中的颗粒监控和粉尘产生的抑制

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摘要

半導体デバイスの歩留まり低下には多くの要因があるが、集積度が上がるにつれてパーティクルの占める割合が大きくなっている。 特にプラズマエッチングで発生するパーティクルが最も多く、歩留まりを低下させる主要因と考えられる。 プラズマエッチング装置で発生するパーティクルの原因は、チャンバ内に堆積した膜やパーティクルの剥離すなわち再飛散であることが多い。 プラズマプロセス中の特定のタイミングでパーティクルが発生しているということや、ウェーハを搬入出するときの圧力差をできるだけ小さくすることによってパーティクルが低減されることなどが経験的に知られているものの、パーティクル飛散のメカニズムについては詳細な研究がなされていない。
机译:有许多因素会降低半导体器件的产量,但是随着集成度的增加,颗粒的比例也会增加。特别地,通过等离子体蚀刻产生的颗粒的数量最大,这被认为是降低产量的主要因素。在等离子体蚀刻设备中产生颗粒的原因通常是膜或沉积在腔室中的颗粒的剥离或再散射。尽管从经验上知道在等离子处理期间的特定时间产生颗粒,并且通过使装载和卸载晶片时的压力差尽可能小来减少颗粒。尚未对粒子散射的机理进行详细研究。

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