ハロゲンフリー材を絶縁性基材材料として選択し、3種類の新プロセスにて8層の全層IVH構造を開発·試作：ハロゲンフリー·鉛(Pb)フリー対応ビルドアップ配線板'B{sup}2it'

摘要

1992年より導電性バンプにて層間接続するビルドアップ配線板B{sup}2 it (Buried Bump Interconnection Technology)の要素技術開発を開始し、1996 年より量産を開始し事業化した。 本B{sup}2 it技術は、特殊な厚膜Agペーストを開発し、それをCu箔上に印刷乾燥し円錐形状の導電性バンプを形成し絶縁層であるプリプレグを貫通した後、その上にほかのCu箔を積層プレスすることで、導体層間の電気的接続を形成する。