SiC(シリコンカーパイドト·ショットキー·ダイオード - 世界で初めモ製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する

摘要

インフィニオンテクノロジーズは2001年2月に理想的なパワー半導体材料であるSiC （シリコンカーバイド）を使ったまったく新しい整流素子、SiC （シリコンカーバイド）ショットキー·ダイオードを製品化した（写真、表）。 SiCショットキー·ダイオードは逆回復時間 (trr) がほぼ"0"という理想的なスイッチング特性を示す。 これにより電源セットの小型、高効率を実現する。