空乏層をチャネルとする有機FETの電導特性－チャネル内空乏層形成によるFET性能の変化

摘要

立体規則ポリ (3－ヘキシルチオフェン）をチャネルとするボトムコンタクト型FETについて、チャネル上部若しくは下部にAl、LiFを被覆することで、空乏層チャネルを有する有機FETを試作した。 チャネル膜厚から、Al、LiFいずれの被覆でも20-40nm程度の厚みの空乏層形成がみとめられた。チャネル膜厚の減少に伴い、チャネルコンダクタンス、on/off比、閾電圧の低下が認められた。 一方、移動度、相互コンダクタンスは、空乏層の有無によらず、いずれもチャネル膜厚の減少と共に低下した。