コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ－3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97％消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案

摘要

本稿では，大容量な高速不揮発性RAMをNANDフラッシュメモリへの書き込みバッファとして使用するSSD（ソリッドステートドライブ）において，ReRAM（抵抗変化型RAM）やPRAM（相変化型RAM）やMRAM（磁気抵抗型RAM）などの高密度化が見込める高速不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリ双方のエラーを効率よく訂正し，3.6倍のビットエラーレートを許容可能とするECC手法を提案する．また，大容量高速不揮発性RAMを書き込みバッファとして使用することで，NANDフラッシュメモリとSSDインタフェース転送速度の差を補間し且つ既存のSSDインタフェース高速化手法に比べ97％消費電力を抑える手法を示す．