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ランタノイドオキシ硫酸塩系酸素ストレージ物質のテンプレー卜合成と触媒機能化

机译:镧系氧硫酸镧基储氧材料的合成及其催化功能化

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摘要

大容量酸素ストレージ能を有するオキシ硫酸塩(Pr_2O_2SO_4)の多孔質化を目的として,ドデシル硫酸イオン(DS~-)を用いるテンプレート合成を試みた.生成物として,Pr-OH層表面の配位不飽和Pr~(3+)にDS~-末端硫酸基が静電結合して梢層したメソ複合体(Pr-DS,S/Pr=0.5)を得た.Pr-SO_4間の強い結合に起因して,加熱分解後もS/Pr比は0.5に保持され,300~400℃で多孔性Pr_2O_2SO_4が直接生成した.得られたPr_2O_2SO_4は硫酸塩から合成した場合に比べて8倍速い酸素放出を示した.触媒成分としてNiを粗持した場合,500℃以下ではNiO→Ni,500℃以上ではPr_2O_2SO_4→Pr_2O_2Sの酸化還元による酸素ストレージによって高いCO酸化活性を示した.
机译:为了使具有大容量储氧能力的硫酸氧(Pr_2O_2SO_4)多孔化,我们尝试使用十二烷基硫酸根离子(DS〜-)合成模板,其产物Pr-OH层表面的配位不协调。通过将DS〜-末端硫酸盐基团静电键合至饱和的Pr〜(3+)并形成树顶层,从而获得中观复合物(Pr-DS,S / Pr = 0.5),这是由于Pr-SO_4之间的牢固键合。即使在热分解之后,S / Pr比率也保持在0.5,并且在300至400℃下直接生产了多孔Pr_2O_2SO_4。所得到的Pr_2O_2SO_4的氧释放速度比由硫酸盐合成时快8倍,当Ni被粗略地保留为催化成分时,NiO→Ni在500℃以下,Pr_2O_2SO_4→Pr_2O_2S在500℃以上被氧化。通过还原储存的氧气显示出高的CO氧化活性。

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