微小磁場下におけるアモルファスCoFeSiB電極強磁性トンネル接合の磁気抵抗特性

摘要

微小な生体磁場（＜10~(-6)0e）を計測することにより、病気の早期診断や高次機能解明が可能になる。近年、強磁性トンネル接合（MTJ）素子の高感度化により、室温で生体磁場計測が可能なMTJセンサの開発が積極的に行われている。これまでにアモルファスCoFeSiBをフリー層に用いたMTJ素子において、115%／Oeの世界最高の磁場感度（＝TMR比／2H_k, H_k：異方性磁場）が得られているが、詳細なセンサ特性評価は行われていなかった。本研究では、CoFeSiB電極MTJ素子の微小磁場下における磁気抵抗特性の評価を行った。