Исследование Tm:Sc_2SiO_5-лазерл с накачкой на переходе ~3H_6 - ~3F_4 ионов Tm~(3+)

摘要

Кристаллы Tm~(3+):Sc_2SiO_5 оптического качества выращены методом Чохральского. В активном элементе, изготовленном из выращенного кристалла, получена лазерная генерация на длине волны ～1.98 мкм при накачке излучением волоконного эрбиевого романовского лазера с длиной волны 1.678 мкм. Дифференциальная эффективность лазера достигала 42% при мощности выходного излучения до 320 мВт.