超低電圧で動作が可能な強誘電体メモリ--モバイル機器に最適な低消費電力も実現

摘要

携帯機器、非接触力ード等の低電圧/低消費電力の要求が高まっている。 このため抗電界が小さく書き換え耐性にも優れた強誘電体材料SBTを用い、低消費電力設計を行うことにより、1.8V動作の強誘電体メモリを実現した。