立方晶系炭化ケイ素「3C-SiC」

摘要

立方晶系炭化ケイ素は3C-SiCとも呼ばれ、次世代の高性能半導体材料デバイス用の基板材料（ウエハ）候補の1つである。 HAST社の3C－SiCは大口径で、結晶欠陥が少ないことを特徴とする。製法は、高速気相成長によるヘテロエピタキシー法で、波形のシリコン基板上に3C-SiCを形成した後、シリコン基板を除去することで作られる。 従来の六方晶系SiCウエハは、貫通欠陥（マイクロパイプ）を完全に解消できていないうえ、大口径になるほど結晶育成が難しく、市販では口径50mmの小型サイズのウエハしか提供されていないが、「3C－SiC」では2～6インチまで作製することができる。 現在はサンプル出荷段階である。 現在の半導体基板材料の主流はシリコンであるが、SiCウエハはシリコンに比べて、バンドギャップが大きい、熱伝導率が高い、飽和電子速度が速い、高温でも安定作動するなどの特性があり、高速で耐環境性に優れるため、パワー半導体デバイス用基板材料として期待されている。