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塩酸塩電解による半導体アルカリ洗浄液の生成-次亜塩素酸の電解生成により,低環境負荷と高洗浄性能を両立

机译:通过盐酸盐电解生成半导体碱性清洗液-通过电解生产次氯酸实现低环境负荷和高清洗性能

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摘要

半導体製造の洗浄工程では,一般に希フッ酸(DHF)や過酸化水素(H_2O_2)水に酸性やアルカリ性の物質を加えた洗浄液で有機物やパーティクル,金属などを除去し,ウェーハを清浄化します。近年,半導体デバイスの微細化及び高性能化や,環境及びコストの面から,洗浄性能の向上と環境負荷の低減が求められています。東芝は,次亜塩素酸(HCIO)の電解生成を利用し,環境負荷を低減できる新しいアルカリ洗浄液を開発しました。この洗浄液はパーティクルの除去性能に加え,有機物や金属などに対しても高い除去性能があります。
机译:在半导体制造的清洁过程中,通常通过添加酸性或碱性物质以稀释氢氟酸(DHF)或过氧化氢(H_2O_2)的水来清洁晶片,从而去除有机物质,颗粒,金属等。近年来,从半导体器件的小型化和高性能,环境和成本的观点出发,需要改善清洁性能和减少环境负荷。东芝开发了一种新的碱性清洁溶液,该溶液可以通过电解生产次氯酸(HCIO)来减轻环境负荷。除了去除颗粒的性能外,该清洁液还对有机物和金属具有很高的去除性能。

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