NANDフラッシュメモリの書換え条件とデータ保持寿命

摘要

NANDフラッシュメモリでは消去して書き込む書換え動作回数が同じでも，書換え間隔や温度の条件が異なると，データ保持寿命は大きく変わってしまう。したがって実際に使用する書換え条件にそったデータ保持寿命を予測しなければならない。データ保持の不良はメモリセルのトランジスタのしきい値電圧Vthが低下することによって起こり，そのVthの時間変化は，Vth変化の傾きとVth変化の始まる時間（time offset）という二つのパラメータで決まっている。東芝は，この二つのパラメータの書換え条件依存性を明らかにしモデルを確立した。当社は，各世代のNANDフラッシュメモリについて，これらのパラメータの書換え条件依存性を実験により決定することで実際の各種使用条件でのデータ保持寿命を確認して，製品を提供している。