表面機能システム研究分野

摘要

本研究分野では，固体表面機能システムについて研究活動を行っている．2006年の研究活動としては，以下のように概括される．Ir（001）基板上にダイヤモンドがエビタキシー成長することは、1996年代に初めて報告されている。その後、Ir（001）基板上へのCVDダイヤモンド膜はヘテロエビタキシー膜としては最高の結晶性を示しているが、いまだデバイス作製レベルには達していなく、更なる改良が求められている。 そのカギを握るのが、バイアス処理であるが、その原子レベルでの役割が確定していない。 近年、対向電極型直流プラズマ装置を用いてイオン照射を行うことで、ヘテロエビタキシヤルダイヤモンドの成長領域は10×10mm~2以上まで大面積化が達成されている。 対向電極型プラズマ装置でイオン照射を行ったIr（001）基板を直接真空移送することにより、光電子分光·回折により調べた。 その結果、ナノメートルオーダーのダイヤモンド（001）結晶は生成しでいることを見出した。