ナノ秒パルスを用いたスピン注入磁化反転の測定

摘要

強磁性トンネル接合(MTJ)を用いたスピン注入方式のMRAMはユニバーサルメモリとして期待され、その実現に向けての研究が盛んに行われている．書き込み電流密度は10{sup}6A/cm{sup}2台前半にまで低減されてきているが、目標とする値にはもう一桁低減する必要がある．さらにナノ秒領域のパルスを用いた書き込みにおいては閾値電流が倍増することが報告され、MRAMの高速動作を実現する為にはこの増大を抑制する必要がある．本研究はMTJにおいてナノ秒の時間スケールのパルスを印加することによるスピン注入磁化反転を観測し、その反転電流の低減の為の指針を得ることを目的とする．