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【24h】

<タンタル>東大、酸窒化タンタルが高性能な半導体材料であることを発見、高性能な電子材料が新たに見つかる可能性高まる

机译:东大发现氮氧化钽是一种高性能的半导体材料,从而增加了寻找新型高性能电子材料的可能性

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摘要

東京大学光学院の長谷川哲也教授らの研究グループは、アナターゼ型のTaONの単結晶薄膜を合成することに世界で初めて成功し、高い電子移動度を示す高性能な半導体材料であることを明らかにした。
机译:东京光学大学大学长谷川哲也教授领导的研究小组在世界上首次成功地合成了锐钛矿型TaON单晶薄膜,并表明这是一种具有高电子迁移率的高性能半导体材料。做到了。

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  • 来源
    《金属時評》 |2014年第2263期|共2页
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  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 冶金工业;
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