産業技術研究所,CNTトランジスタの開発に成功

摘要

大阪大学，産業技術研究所は，共同で全く新しいCNTトランジスタを開発し，従来の100倍以上安定に動作するCNTトランジスタの開発に成功した。 CNTは，現在の集積回路に使用されているシリコントランジスタと比較して，10倍～100倍高い増幅率を示すため，次世代のトランジスタとして期待されているが，これまで開発されたCNTトランジスタでは，特性が時間や電圧の値に大きく変動してしまうという課題があり，実用化する上で大きな障害となっていた。 これらの不安定要因の原因は，CNT表面に付着した酸素や水の汚染によると考えられていたが，大阪大学と産総研は共同でフォトトランジスタの残さが重要であることを突き止め，この特性の変動の要因を取り除く，全く新しい作製プロセスの開発に成功した。 これにより，時間に対する特性の変動が0．01以内になり，ヒステリシスの値が理想的な値である0Vと，実用化可能な安定動作を実現することができるようになった。