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机译:C7F16O4气雾悬浮的空气击穿电压特性以及雾浓度,电子碰撞电离和蒸气的附着系数对增强击穿电压的影响
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机译:讨论湿度对球形间隙和均匀场间隙击穿电压的影响,附近的接地物体和电压极性对水平球形间隙的直流击穿的影响,温度的校准均匀场中和直径最大25厘米的球体之间的气隙
机译:氩基混合物的击穿电压特性,有效二次发射系数和电离系数
机译:具有SiGe通道和I区的互补I-MOS技术,可增强碰撞电离,击穿电压和性能
机译:SF6及其混合物在同轴圆柱体间隙中的击穿电压-时间特性,特别参考陡峭的前沿脉冲电压,直至斩波至100 ns。
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:具有降低击穿电压的肖特基隧道源冲击电离mOsFET的分析建模
机译:电子束离子化放电中击穿电压和不稳定性的测定。