机译:通过调制掺杂来修改电荷密度波跃迁:铁氧化合物([Sn1-xBixSe](1.15))(1)(VSe2)(1),0 <= x <= 0.66
机译:通过调制掺杂来修改电荷密度波跃迁:铁氧化合物([Sn1-xBixSe](1.15))(1)(VSe2)(1),0 <= x <= 0.66
机译:通过[Ta]等离子掺杂抑制([SnSe](1.15))(1)(VSe2)(1)铁晶体中的电荷密度波
机译:(PBSE)(1 +δ)(VSE2)(N)化合物的电荷密度波转变,N = 1,2和3
机译:在电荷密度波相的过渡区域和1-D Hubbard-Holstein模型中的旋转密度波相的介入金属相的存在
机译:合成新的[(SnSe)1.15] m(TSe2)n,[(SnSe)1.16] m(VSe2)n [(SnSe)1.16] p(TaSe2)q和(SnSe)1.16(V.51Ta.49Se2)共生化合物(T = V和Ta)。
机译:三维多重电荷密度波固体中Peierls相变的证据
机译:在单层极限下vse2中的金属化器过渡和高温电荷密度波的出现