机译:基于无损气体源掺杂扩散的Ge纳米线和基底中的访问电阻降低
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机译:使用单甲基硅烷基气体源分子束外延在Si(110)衬底上旋转3C-SiC(111)外延
机译:高掺杂活化n〜+ -Ge层的原位掺杂外延生长以降低Ge-nMISFET的寄生电阻
机译:高n ++掺杂锗:掺杂物的扩散和建模
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:硅和锗纳米线中与直径有关的掺杂剂位置
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