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机译:E-研究在5-300 K温度范围内a-C:H薄膜的X和W带缺陷
defects; EPR; anisotropy; amorphos carbon;
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机译:辐射引起的石英缺陷。二。天然黄晶石英的单晶W波段EPR研究
机译:纳米复合材料N-TIC / A-C:H薄膜中纳米indentation诱导缺陷的研究
机译:EPR和ENDOR研究四硼酸锂晶体中的点缺陷。
机译:在105-300 K范围内的温度下DOPA-黑色素与奈替米星和Cu(II)的配合物的EPR研究
机译:在105-300 K范围内的温度下,DOPA-黑色素与奈替米星和Cu(II)的配合物的EPR研究