Radar-Chips aus SiGe - Radarsensoren auf basis von SiGe-Transcheivern

摘要

Anstatt der teuren GaAs-Technologie verwendet Infineon zukunftig einen Silizium-Germanium-Prozess bei Transceiver-Ics fur Radarsysteme. Damit lassen sich nicht nur die Herstellungskosten reduzieren, auch eine bessere Reproduzierbarkeit und Homogenitat im Vergleich zu Gallium-Arsenis ist damit gegeben. Zudem lassen sie sich auf 8-Zoll-Wafer fertigen, sind im Handling unempfindlicher und konnen bis auf wenige zsischenschritte auf Standardanlagen gefertigt und fur Automotive-Anwendungen getestet werden.