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2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium

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1.Outstanding Contributions Award

机译：杰出贡献奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
2.Joel P. Weidendorf Memorial Award

机译：乔尔·魏登道夫纪念奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
3.President Award

机译：总统奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
4.2011 Exhibitors list

机译：2011展商名单
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
5.Front cover

机译：封面
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
6.High-temperature operation MOS-IGBT power clamp for improved ESD protection in smart power SOI technology

机译：高温工作MOS-IGBT功率钳位可改善智能功率SOI技术中的ESD保护
- 作者：Arbess H.;Tremouilles D.;Bafleur M.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
7.Source engineering for ESD robust NLDMOS

机译：ESD健壮NLDMOS的源工程
- 作者：Fujiwara Shuji;Nakaya Kiyofumi;Hirano Tetsuro;Okuda Toshihiro;Watanabe Yuichi
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
8.ESD robust DeMOS devices in advanced CMOS technologies

机译：先进CMOS技术的ESD耐用DeMOS器件
- 作者：Shrivastava Mayank;Russ Christian;Gossner Harald;Bychikhin S.;Pogany D.;Gornik E.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
9.Novel techniques to modulate the holding voltage in high voltage ESD protections

机译：新颖的技术来调制高压ESD保护中的保持电压
- 作者：Farbiz Farzan;Salman Akram A.;Boselli Gianluca
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
10.When good trigger circuits go bad: A case history

机译：当好的触发电路变坏时：案例历史
- 作者：Gerdemann Alex;Miller James W.;Stockinger Michael;Herr Norman;Dobbin Allan;Ricklefs Reyhan
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
11.Inside front cover

机译：内封面
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
12.β matrix concept for ESD power devices, demonstrators in C45nm C32nm CMOS technology

机译：用于C45nm和C32nm CMOS技术的ESD功率器件，演示器的β矩阵概念
- 作者：Galy P.;Bourgeat J.;Jimenez J.;Dray A.;Troussier G.;Jacquier B.;Marin-Cudraz D
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
- Diode;
- ESD network;
- SCR;
- dual SCR;
13.Origin of It2 drop depending on process and layout with fully silicided ggMOS

机译：It2下降的起源取决于完全硅化的ggMOS的工艺和布局
- 作者：Fukasaku Katsuhiko;Yamazaki Takashi;Kanno Michihiro
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
14.CDM secondary clamp of RX and TX for high speed SerDes application in 40nm CMOS technology

机译：RX和TX的CDM二级钳位，适用于40nm CMOS技术中的高速SerDes应用
- 作者：Okushima Mototsugu;Tsuruta Junji
- 会议名称：《》 | 2011年
15.Small footprint ESD protection of hot-swappable I/Os

机译：热插拔I / O的小尺寸ESD保护
- 作者：Karp James;Fakhruddin Mohammed;Hart Michael;Li Richard;Ho Fu-Hing;Reilly Steven;Tan Phoumra;Tsaggaris Dean;Pai S. Y.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
16.Effect of on-chip ESD protection on 10 Gb/s receivers

机译：片上ESD保护对10 Gb / s接收器的影响
- 作者：Faust Adam C.;Srivastava Ankit;Rosenbaum Elyse
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
17.CDM protection for millimeter-wave circuits

机译：毫米波电路的CDM保护
- 作者：Thijs Steven;Raczkowski Kuba;Linten Dimitri;Tseng Jen-Chou;Chang Tzu-Heng;Song Ming-Hsiang;Groeseneken Guido
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
18.A CDM robust 5V distributed ESD clamp network leveraging both active MOS and lateral NPN conduction

机译：利用有源MOS和横向NPN导通的CDM鲁棒5V分布式ESD钳位网络
- 作者：Ruth Scott;Stockinger Michael;Miller James W.;Whitney Vincent;Kearney Mark;Ngo Sean
- 会议名称：《》 | 2011年
19.Protection of a 3.3V domain and switchable 1.8V/3.3V I/O in a 40nm pure 1.8V process

机译：在40nm纯1.8V工艺中保护3.3V域和可切换的1.8V / 3.3V I / O
- 作者：Van der Borght Johan;Van Wijmeersch Sven;Serneels Bert;Goodings Chris
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
20.Technology scaling effects on the ESD performance of silicide-blocked PMOSFET devices in nanometer bulk CMOS technologies

机译：技术缩放对纳米体CMOS技术中硅化物阻挡的PMOSFET器件ESD性能的影响
- 作者：Li Junjun;Mishra Rahul;Shrivastava Mayank;Yang Yang;Gauthier Robert;Russ Christian
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
21.On gated diodes for ESD protection in bulk FinFET CMOS technology

机译：用于Fin Fin CMOS技术中用于ESD保护的栅极二极管
- 作者：Thijs Steven;Griffoni Alessio;Linten Dimitri;Chen Shih-Hung;Hoffmann Thomas;Groeseneken Guido
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
22.New high voltage ESD protection devices based on bipolar transistors for automotive applications

机译：基于双极晶体管的新型高压ESD保护器件，用于汽车应用
- 作者：Gendron Amaury;Gill Chai;Zhan Carol;Kaneshiro Mike;Cowden Bill;Hong Changsoo;Ida Richard;Nguyen Dung
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
23.Investigation of statistical tools to analyze repetitive HMM stress endurance of system-level ESD protection

机译：调查统计工具以分析系统级ESD保护的重复HMM压力承受力
- 作者：Diatta Marianne;Tremouilles David;Bouyssou Emilien;Bafleur Marise
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
24.Interrogation of damage-state in leadfree electronics under sequential exposure to thermal aging and thermal cycling

机译：在连续暴露于热老化和热循环的情况下，对无铅电子中的损坏状态进行询问
- 作者：Lall Pradeep;Vaidya Rahul;More Vikrant;Goebel Kai
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
25.A contribution to the evaluation of HMM for IO design

机译：为评估IO设计的HMM做出了贡献
- 作者：Song M. H.;Smedes T.;Tseng J. C.;Chang T. H.;Derikx R.;Velghe R.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
26.A study of a measurement and simulation method on ESD noise causing soft-errors by disturbing signals

机译：ESD噪声干扰信号引起软错误的测量与仿真方法研究
- 作者：Lee Jongsung;Lim Jaedeok;Jo Cheolgu;Seol Byongsu;Nandy Argha;Li Tianqi;Pommerenke David
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
27.Measurements and simulations in product specific risk analysis

机译：产品特定风险分析中的测量和模拟
- 作者：Reinvuo Tuomas;Tamminen Pasi
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
28.A predictive full chip dynamic ESD simulation and analysis tool for analog and mixed-signal ICs

机译：用于模拟和混合信号IC的预测性全芯片动态ESD仿真和分析工具
- 作者：Tian Guangchun;Xiao Yunpeng;Connerney Duane;Kang Taeghyun;Young Alister;Liu Qiang
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
29.A current density analysis tool to identify BEOL fails under ESD stress

机译：用于识别BEOL的电流密度分析工具在ESD压力下失效
- 作者：Mitra Souvick;Palmer Nicholas;Gauthier Robert;Muhammad Mujahid;Halbach Ralph;Seguin Chris
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
30.Efficient multi-domain ESD analysis and verification for large SoC designs

机译：大型SoC设计的高效多域ESD分析和验证
- 作者：Chang Norman;Liao Youlin;Li Ying-Shiun;Johari Pritesh;Sarkar Aveek
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
31.An automated approach for verification of onchip interconnect resistance for electrostatic discharge paths

机译：验证静电放电路径的片上互连电阻的自动化方法
- 作者：Trivedi N.;Gossner H.;Dhakad H.;Stein B.;Schneider J.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
32.History

机译：历史
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
33.System-level ESD on-chip protection for mobile display driver IC

机译：用于移动显示驱动器IC的系统级ESD片上保护
- 作者：Ko Jae-Hyok;Kim Kwan-Young;Jeon Jong-Sung;Jeon Chan-Hee;Kim Chang-Su;Lee Ki-Tae;Kim Han-Gu
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
34.Machine model evaluation and interconnect effect study for TMR HGA

机译：TMR HGA的机器模型评估和互连效果研究
- 作者：Bai Wei;Teng ZhaoYu;Liu Ryan;Li William;Wong MinBing;Chou Sidney
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
35.ESD system level characterization and modeling methods applied to a LIN transceiver

机译：应用于LIN收发器的ESD系统级表征和建模方法
- 作者：Besse P.;Lafon F.;Monnereau N.;Caignet F.;Laine J. P.;Salles A.;Rigour S.;Bafleur M.;Nolhier N.;Tremouilles D.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
36.Characteristic of radiated electromagnetic wave by ON/OFF discharge on sub-micron gap

机译：亚微米间隙上ON / OFF放电引起的电磁波辐射特性
- 作者：Ohtsu Takayoshi;Okada Shunsuke;Ito Shota;Imai Shogo;Oka Ryota;Tanitsuji Kazuyuki;Takai Taro;Fujikawa Hiromichi
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
37.Investigating the probability of susceptibility failure within ESD system level consideration

机译：在ESD系统级考虑范围内调查易感性失效的可能性
- 作者：Monnereau Nicolas;Caignet Fabrice;Nolhier Nicolas;Tremouilles David;Bafleur Marise
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
38.Diode protection of GMR sensors

机译：GMR传感器的二极管保护
- 作者：Iben Icko Eric Timothy;Gebreselasie Ephrem G;Loiseau Alain;Gauthier Robert
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
39.Study of system ESD codesign of a realistic mobile board

机译：现实的移动板的系统ESD代码符号的研究
- 作者：Johnsson David;Gossner Harald
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
40.Voltage monitor circuit for ESD diagnosis

机译：用于ESD诊断的电压监控器电路
- 作者：Jack Nathan;Rosenbaum Elyse
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
41.Two new unexplained and unresolved HBM tester related failures

机译：两个新的无法解释且尚未解决的HBM测试仪相关故障
- 作者：Ward Scott;Burgess Keith;Kunz Hans;Duvvury Charvaka;Schichl Joe;Rost Tim
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
42.Filter models of CDM measurement channels and TLP device transients

机译：CDM测量通道和TLP设备瞬态的滤波器模型
- 作者：Maloney Timothy J.;Daniel Abishai
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
43.Technical program committee 2011

机译：技术计划委员会2011
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
44.Using directional couplers to overcome the bandwidth limitations of IV-probes in TLP measurements

机译：使用定向耦合器克服TLP测量中IV探针的带宽限制
- 作者：Gillon Renaud;Bossche Marc Vanden;Verbeyst Frans
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
45.Workshop and panel discussions

机译：研讨会和小组讨论
- 作者：Gossner Harald;Gaertner Reinhold;Carn Brett;Blanc Fabrice;Gauthier Robert;Boselli Gianluca;Duvvury Charvaka
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
46.Biographies

机译：传记
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
47.2009 Best Paper Award

机译：2009年度最佳论文奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
48.2009 Symposium Outstanding Paper Award

机译：2009年研讨会优秀论文奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
49.2009 Best Student Paper Award

机译：2009最佳学生论文奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
50.2010 Friendship Award in recognition of RCJ 2010 Best Paper Award/Japan

机译：荣获RCJ 2010年最佳论文奖/日本2010年友谊奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
51.David F. Barber Sr. Memorial Award

机译：大卫·F·巴伯高级纪念奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
52.Industry Pioneer Recognition Award

机译：业界先锋奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
53.Industry Contribution Award

机译：行业贡献奖
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
54.Back cover

机译：封底
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
55.Table of contents

机译：目录
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
56.PMOS-based power-rail ESD clamp circuit with adjustable holding voltage controlled by ESD detection circuit

机译：基于PMOS的电源轨ESD钳位电路，具有由ESD检测电路控制的可调保持电压
- 作者：Yeh Chih-Ting;Liang Yung-Chih;Ker Ming-Dou
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
57.Process variation aware ESD design window considerations on a 0.18μm analog, mixed-signal high voltage technology

机译：基于0.18μm模拟，混合信号高压技术的可识别过程变化的ESD设计窗口考虑因素
- 作者：Roger Frederic;Reinprecht Wolfgang;Minixhofer Rainer
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
58.A SCR-based ESD protection for MEMS — Merits and challenges

机译：用于MEMS的基于SCR的ESD保护—优点和挑战
- 作者：Sangameswaran Sandeep;Thijs Steven;Scholz Mirko;De Coster Jeroen;Linten Dimitri;Groeseneken Guido;De Wolf Ingrid
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
59.Active clamp implementation in complementary BiCMOS process with high voltage BJT devices

机译：使用高压BJT器件在互补BiCMOS工艺中实现有源钳位
- 作者：Vashchenko Vladislav;Shibkov Andrei
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
60.HBM ESD robustness of GaN-on-Si Schottky diodes

机译：GaN-on-Si肖特基二极管的HBM ESD鲁棒性
- 作者：Chen S.-H.;Griffoni A.;Srivastava P.;Linten D.;Thijs S.;Scholz M.;Marcon D.;Gallerano A.;Lafonteese D.;Concannon A.;Vashchenko V. A.;Hopper P.;Bychikhin S.;Pogany D.;Van Hove M.;Decoutere S.;Groeseneken G.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
61.Copyright page

机译：版权页
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
62.CDM event simulation in SPICE: A holistic approach

机译：SPICE中的CDM事件模拟：一种整体方法
- 作者：Hajjar Jean-Jacques;Weyl Thorsten;Zhou Yuanzhong;Parthasarathy Srivatsan
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
63.Predictive CDM simulation approach based on tester, package and full integrated circuit modeling

机译：基于测试仪，封装和完整集成电路建模的预测性CDM仿真方法
- 作者：Abessolo-Bidzo Dolphin;Smedes Theo;Huitsing Albert Jan
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
64.A positive exploitation of ESD events: Micro-welding induction on ohmic MEMS contacts

机译：积极利用ESD事件：在欧姆MEMS触点上进行微焊接感应
- 作者：Tazzoli Augusto;Iannacci Jacopo;Meneghesso Gaudenzio
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
65.Scalable modeling studies on the SCR ESD protection device

机译：可控硅ESD保护装置的可扩展建模研究
- 作者：Romanescu Alexandru;Beckirch-Ros Helene;Fonteneau Pascal;Legrand Charles-Alexandre;Ferrari Philippe;Arnould Jean-Daniel
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
66.ESD simulation with Wunsch-Bell based behavior modeling methodology

机译：使用基于Wunsch-Bell的行为建模方法进行ESD仿真
- 作者：Cao Yiqun;Glaser Ulrich;Willemen Joost;Magrini Filippo;Mayerhofer Michael;Frei Stephan;Stecher Matthias
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
67.Capturing real world ESD stress with event detector

机译：使用事件检测器捕获现实世界中的ESD压力
- 作者：Jahanzeb Agha;Wang Kankan;Harrop Jeff;Brodsky Jonathan;Ban Toshio;Ward Scott;Schichl Joe;Burgess Keith;Duvvury Charvaka
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
68.Product specific ESD risk analysis

机译：产品特定的ESD风险分析
- 作者：Tamminen Pasi;Viheriakoski Toni
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
69.Relationship between moulding compounds and tribocharging in IC manufacturing and Tape Reel shipment

机译：集成电路制造和卷带运输中模塑料与摩擦带的关系
- 作者：Christoforou Yorgos;Rattawat Paiboon;Seantumpol Pitak;Sukpitikul Arkhom;Mavinkurve Amar;Goumans Leon
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
70.The impact of electrical overstress on the design, handling and application of integrated circuits

机译：电气过应力对集成电路设计，处理和应用的影响
- 作者：Kaschani K. T.;Gartner R.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
71.Movement of metallic particles in a 3-phase common enclosure gas insulated substations

机译：三相公共封闭式气体绝缘变电站中金属颗粒的运动
- 作者：Rao M. Raghavendra;Amarnath J.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
72.General chair's welcome

机译：总经理欢迎
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年
73.Analysis of space charge effects due to ESD in MEMS

机译：MEMS中ESD引起的空间电荷效应分析
- 作者：Greason William D.
- 会议名称：《2011 33rd Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium》 | 2011年