摘要:利用有限元法就勾形磁场环境下硅单品Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0~2.0)T.结果表明:勾形磁场可有效抑制熔体内的流动;随着磁场强度增加,熔体内传热向导热型转变,加热器功率曾大;结晶界面温度梯度在场强为0.05T时略有降低,之后增加;而结晶界面形状在场强为0.05T和0.1T时向熔体侧弯曲,之后随磁场的增加,变得平坦.同时,熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主;结晶界面处的氧浓度随场强的增加而逐渐降低,当场强高于1.0T时,结晶界面氧浓度会略有上升.