摘要:慢正电子束流技术是现代科学和高新技术发展中应用非常广泛的研究手段之一,其特点是对于晶体中的点缺陷(如位错、空位、空位团、微空洞、高分子材料中的自由体积等)十分敏感,是一种用核谱学检测微观结构的近代物理实验方法.目前已发展成为研究辐照、离子注入、半导体辐照缺陷、各种生长薄膜、半导体界面等当今十分活跃的表面、界面、团簇等领域的独特而有力研究手段,在材料科学研究与发展中起到了重要作用. 中国科学院高能物理所和合作单位在国家基金委与中国科学院的支持下,经过认真的讨论和论证,拟利用北京正负电子对撞机电子直线加速器完成注入后的"剩余时间",在不改变加速器运行参数,以1.55GeV电子束流为初级入射束流,产生高强度和高亮度的低能单色正电子束流,建设北京慢正电子强束流系统. 北京慢正电子强束流系统的设计指标:在现有对撞机工作模式下,慢正电子束流强度达到106/s;在专用模式下,慢正电子束流强度达到108/s,慢正电子能量从0~50 keV连续可调;样品室设计真空度为10-8Pa,能够满足各学科研究工作的需要.同时结合相关技术,形成一个以同步辐射技术为主体的多学科研究中心,希望在凝聚态物理、材料科学、化学等研究方面发挥综合优势,促进交叉学科发展.本文介绍了慢正电子束流技术的基本原理及其特点等等内容。