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2003第十届全国可靠性物理学术讨论会

召开年：2003
召开地：西宁
出版时间： 2003-09-01

主办单位：中国电子学会

会议文集：2003第十届全国可靠性物理学术讨论会论文集

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1.CMOS IC和MMIC抗静电保护设计
- 来萍;罗宏伟;叶禹康
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍了CMOS IC和GaAs MMIC抗静电保护电路的基本结构和设计规则.阐述了CMOS IC和GaAs MMIC中常用的二极保护结构单元以及相应的元器件;在设计规则方面列出了在电路设计的基本方法和工艺设计的基本准则.
2.静电对导弹检测的危害及防护措施
- 张则敏;裴飞
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文主要论述了静电对导弹和导弹检测设备的危害,在使用导弹检测设备检测陆军导弹武器装备时,静电对导弹检测设备和导弹武器系统带来的影响,以及导弹在运输、装卸、库存中防静电损伤;造成导弹检测设备损坏的主要原因,采取的防护措施.
3.微电子电路的剖面结构分析
- 章晓文
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：制作了BICMOS工艺金属化电迁移测试结构的剖面样品,拍摄了该剖面的SEM像,用SEM测量了剖面样品的多条金属化电迁移测试结构的宽度和厚度,包含金属1和金属2两部分,测量结果表明,测量值的平均值和设计值是一致的,但在不同的金属条上测得的值有一个明显的波动,预示出需要进一步优化工艺的稳定性.介绍了几个代表目前最高工艺水平的PIII(1.2GHz)芯片的SEM剖面结构图,从图中能够清楚地看出金属2至金属5的通孔结构,金属1与多晶的连接,及N沟MOS管和P沟MOS管的结构形状,直观地展示出了PIII芯片的工艺技术水平.
4.密封元器件中的氢气来源
- 吴文章
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍密封元器件内部氢气的主要来源,通过试验分析可伐金属材料在不同条件排放在腔体内部的氢气含量,分析氢气对元器件可能造成的严重氢中毒.
5.IC失效分析的样品制备技术
- 费庆宇
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文简明地叙述了以集成电路失效分析和设计纠错为目的的样品制备技术的重要性、原理、方法和实例,包括开封、去钝化层、反应离子腐蚀(RIE)和聚焦离子束(FIB)技术.
6.大功率晶体管稳态热阻测试
- 张瑞霞;童亮;谭宗新;徐立生
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：利用电学测量的方法成功地测量了大功率晶体管的稳态热阻,并通过大量的测试摸索出了一套有效、可靠的测量稳态热阻的方法,测试数据准确可靠.
7.电磁脉冲损伤的试验分析
- 高颖;刘红兵;王于辉
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文通过对某型号高频低噪声晶体管失效的分析,研究了器件受到电磁脉冲损伤时的模式和机理,并用试验模拟了器件的损伤过程,最后指出了预防此类损伤应采取的一些措施,以及提高器件抗电磁脉冲的能力和方法.
8.AT42070晶体管可靠性快速评价方法
- 高兆丰;徐立生
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍一种针对进口工业品微波小功率晶体管的单批可靠性快速评价方法,以及在稳态热阻测量中须注意的事项.
9.BGA电子组装可靠性分析
- 赏星耀;吴弋旻
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：现代电子装联技术的发展,超大规模集成电路的广泛应用,因而导致电子器件管脚数量极剧增多,器件间距极剧缩小,使得管脚高密度的器件在电子技术应用中占有一席之地.本文叙述了在此类器件的电子组装失效的主要机理,以及电子组装与PCB布线设计中的一系列提高可靠性的具体分析,从而大大提高了此类器件的电子装联合格率,为产品的稳定性和装联一次性通过率的提高奠定了基础.
10.金属化安全膜交流电容器自愈性试验方法探讨
- 高儒昌
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍了金属化安全膜交流电容器目前国内外自愈性试验方法现状,又通过试验数据与分析,说明用交流电压作自愈性试验不能反映金属化安全膜交流电容器自愈特性的真实情况.提出用直流电压作该种电容器的自愈性试验.
11.SOC系统设计技术
- 焦慧芳;魏建中;王群勇;罗雯;阳辉;贾新章
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文从SOC技术的基本概念和设计流程出发,介绍了SOC设计的关键技术,讨论了SOC在设计方法、工艺实现和性能测试等方面遇到的巨大挑战.同时以较重的笔墨,展望了SOC技术的发展,论述了SiP技术与SOC技术的关系及SIP的技术优势.
- 集成电路;
- SOC;
- IP模块;
- ASIC;
- SiP;
- SOC系统设计;
12.扫描电镜衬度像在集成电路分析中的应用
- 李兴鸿;王勇;赵春荣
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文简述了扫描电镜电压衬度的成像原理及其在集成电路分析中的应用,列举了几组在实际工作中应用扫描电镜得到的集成电路缺陷照片和电压衬度照片,对试验结果的应用进行了分析,并给出了二次电子像在集成电路分析中一些限制因素.
13.硅压力传感器芯片的可靠性设计
- 王善慈;齐虹;王蕴辉;庄庆德
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文从硅压阻式压力传感器的失效模式入手,探讨了硅压阻式压力传感器的可靠性与材料、表面电荷及金属化的关系,并提出了提高可靠性的途径.
14.固体继电器的静电防护技术
- 王庚林
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文重点介绍了固体继电器内部元器件的静电放电敏感度,固体继电器的防静电设计及其制造、包装、贮运和使用过程中的静电防护措施.
15.EBIC成像及其在集成电路中的应用研究
- 李兴鸿;王勇;赵春荣
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文概述了扫描电镜EBIC像的成像原理,试验了EBIC成像的各种连接方法,并给出了不同连接方式下的VLSI EBIC像,探讨了各种连接方法对EBIC像成像的影响,以及EBIC像在集成电路失效分析中的应用情况.
16.武器装备的全寿命周期可靠性预计
- 杨家铿
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：阐述了武器装备周全地考虑寿命周期可靠性的必要性,给出了一寿命周期可靠性预计方法和模型.以某机载武器为例,预计其全寿命周期可靠性,并分析、改进了原设计方案,使其满足规定的可靠性指标.
17.应重视国军标的研究和修改
- 许桂芳;任京存;郑鹏洲
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：国军标的重要性众所周知,我国的国军标由于惰性大,给确切执行带来了困难.本文列举一些例子进行说明后,提出一些解决矛盾的建议供讨论和参考.
18.汽车收放机产品质量分析
- 郑晨;宋丹玫
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：汽车收放机产品是一种安装在汽车内的音频娱乐系统,本文根据监督抽查的结果,分析了该产品及所在行业质量上存在的问题.
19.20＃热轧钢管焊接件失效分析
- 何丽景
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍了某卫星通信侦收天线背架上20＃钢管在运输中断掉的失效模式,分析了失效机理,从理化分析、金相分析的结果判断,20＃热轧钢管焊接件失效原因是:断件上有焊接咬边缺陷,产生应力集中;断件呈水平悬臂梁状在运输中高周次震动,在应力集中处产生裂纹,并逐渐扩大,直到瞬间(遇到大的震动)突然断裂.
20.元器件可靠性试验远程监控技术研究
- 许少辉;唐锐;王勇
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：基于数字化、网络化、微型化的实时元器件可靠性试验状态监测系统.监控系统接口简单,可操作性强.硬件、软件上的设计及高度的数字化、集成化保证了该仪器能够长期稳定工作,可靠性好.实现对试验状态的参数的监控:试验温度、湿度、门的开关状态;仪器供电情况和样品偏置情况、直流电压测量、交流电压测量等.监控手段有:应用数据通信RS-232接口、与局域网连接的10Base-T网络接口、电话线的输入输出接口等.
21.集成电路中金属互连线焦耳热效应的测试和分析
- 郑学仁;詹郁生;罗宏伟
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文采用拟合的方法,并利用DESTIN测试系统,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系,探讨不同材料、不同尺寸、不同结构金属布线的焦耳热效应.揭示在一定电流密度下,金属化自升温较大,不能用环境温度来代替实际温度,在加速试验(一定的高电流、高温)条件下必须考虑焦耳热效应作用的原理.
22.高温恒定电流电迁移可靠性试验方法研究
- 王涛;李斌;罗宏伟
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍了评价电迁移可靠性的高温恒定电流试验方法,以电阻值超过初始值10％为失效判据,对某工艺的几组样品进行可靠性评价.该试验方法简便、可靠,适用于亚微米和深亚微米超大规模集成电路的可靠性评价.
23.加速应力条件下热载流子寿命试验及结果分析
- 林晓玲;黄美浅;章晓文
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,以漏极饱和电流ΔIdsat=10％为失效判据,对该工艺线的热载流子注入效应进行了评价.整个测试过程由程序控制,设备精度高,使用简便,适于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.
24.微波大功率单刀三掷开关分析改进
- 张晓明;王韧;黄云;郑廷圭;黄林祥
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：对微波大功率单刀三掷开关烧毁失效作了系统的分析和验证试验,确定了失效是由过电压击穿引起,针对这种失效原因,采取调整设计、优化工艺等改进措施使产品的失效模式得到有效控制.
25.军用电子组件生产过程中的环境应力筛选
- 成信;戴爱节;金毓铨
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：军用电子组件在军事装备中具有重要作用,本文介绍军用电子组件生产过程中的环境应力筛选技术,讨论定量环境应力筛选设计的可行性.
26.GaAs MMIC功率器件与热应力有关的失效模式及失效机理
- 李萍
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文论述了热应力对GaAs MMIC功率器件可靠性的影响,分析了器件与热应力有关的失效模式和失效机理,并给出了热设计的注意事项,最后介绍了常用封装工艺和封装材料的选择.
27.提高GaAs MESFET器件抗静电能力研究
- 冯震;王长河;黄礼荣;张绵;刘如青
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：在本文中对国内外GaAs MESFET器件抗静电能力进行了比较,简要介绍了GaAs MESFET器件ESD损伤机理,并且根据GaAs MESFET器件ESD损伤机理提出了改进提高GaAs MESFET器件抗静电能力的设计考虑.通过对399支采用不同的材料和不同的工艺方法制作的器件进行抗静电试验结果分析可以看出:采用离子注入材料、采用特别的工艺制作方法以及增大栅长都可以有效的提高器件的抗静电能力.在把这些措施综合使用之后,可以把器件的抗静电能力由原来的300伏提高到700伏.
28.混合集成电路中无源元件剪切强度试验判据的研究
- 张延伟
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文通过对半导体器件的芯片剪切强度试验方法设计原理的分析,认为芯片质量是设定芯片剪切强度判据的依据,并以此为根据给出了混合集成电路中无源元件的剪切强度判据.
29.MCM—C中厚膜电阻寿命分布及退化规律的研究
- 周仲蓉;郭春生;程尧海;李志国;邹琼;张增照;莫郁薇
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文重点研究了MCM-C基板中厚膜电阻寿命的分布及退化规律,试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布.
30.多圈电位器旋转寿命试验技术
- 陈波;唐锐;许少辉
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文主要论述微处理器控制的多圈电位器旋转寿命试验机的研制思想和方法.该试验机可控制六个工位同时工作,通过键盘设定试验中的重要参数,如角度,速度,圈数以及试验周数等,由点阵式液晶屏显示.针对该试验长时间的特点,在试验过程中可能出现的掉电现象,设计了掉电保护功能.
31.密封电磁继电器线圈激励量使用不当的危害性
- 黄勉
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文通过介绍某部某所在使用我公司混合延时继电器时,由于工作电路原因造成内部密封电磁继电器线圈欠量工作,致使密封电磁继电器触点发生熔融粘接的失效,通过分析失效机理,提出密封电磁继电器使用中线圈激励量的正确使用应该引起使用者的高度重视.
32.利用DelphiGPIB组建光电模块自动测试系统
- 唐锐;许少辉
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文在介绍GPIB、SCPI指令使用的前提下,以某型号光电线性转换模块为例,在Delphi编程开发环境下利用联机控制仪器,实现对光电转换模块线性度的快速测试.
33.IEC68-2-20(1979)的第2次修订Amendment No.2 December 1987 to Publication 68-2-20(1979)
- 陆劲;虞文英
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文详细介绍IEC68-2-20第二次修订的修订条款,同时浅析修订后的标准避免了锡焊试验时导致元器件过热造成的损伤.
34.可靠性分析在新产品研制开发中的作用
- 赵和义;蔡懿
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：文章主要围绕产品开发的特点,提出了可靠性分析在研制开发过程的重要作用和工作程序,将以往研制开发工作中单纯追求产品仿造转换为失效模式分析与失效机理分析相结合,技术指标与质量验证相结合的工作模式,不仅改进和提升了研制开发工作模式,而且保证了产品的可靠性,其目的是确保研制开发产品达到预定的技术指标.由于这种工作模式从根本上确保质量达标,因此可以固化为标准的方法,应用在所有的新产品开发工作中.
35.元器件质量信息及管理平台
- 周厚明
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文对建立元器件质量信息及管理平台的重要性与必要性进行了论述,论证了电子产品质量与可靠性信息的需求,本文介绍了元器件质量及管理平台的功能和作用.
36.浅谈电磁噪声环境下纹波电压和漏电流测试及其对策
- 李碧珍
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文描述了电磁噪声的来源、传播路径及其对电参数测试的干扰.以纹波电压和漏电流为例,结合实践经验提出了减少和抑制电磁噪声干扰的方法.
37.飞机现场故障电子记录本(器)设计方案
- 刘宝华
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：根据飞机现场故障信息收集处理工作实践,为提高故障信息收集处理工作效率,拟设计一种飞机现场故障电子记录本(器),以提高工作效率和质量.文章提出了电子记录本(器)的外观与功能设计方案及实现此方案的技术途径.相信电子记录本(器)的使用将把飞机现场故障信息管理工作提高到一个新的水平.
38.超声波检测技术在研究电子元器件可靠性的应用
- 牛付林;吴文章
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：超声波检测技术在进行电子元器件可靠性研究方面逐渐表现出了很大的优势,本文从超声波检测技术的原理说起,分析了该技术在保证电子元器件质量,提高产品可靠性方面的优势,通过大量的实验证明该技术必将有其广阔的应用前景.
39.IDDQ测试,挑战与发展
- 钟征宇
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文介绍了IDDQ测试技术的检测能力极其在深亚微米阶段所遇到的挑战和一些解决办法.还讨论了IDDQ作为老化筛选有效补充的现实意义.
- IDDQ;
- 老化;
- 筛选;
- 测试技术;
40.大功率电子组件热模拟技术
- 邱宝军;何小琦
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文针对功率电子组件中散热有效性问题比较严重的DC/DC电源进行热模拟技术研究,建立了DC/DC电源的数学模型和有限元模型,并对不同的材料、功率、以及几何参数进行了模拟分析.本文的研究对大功率电子组件的热设计有较大的指导意义.
41.晶体管老化时自激振荡的产生及消除
- 刘红兵;程春红
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：晶体管在进行功率老化时,容易产生自激振荡,本文叙述了自激振荡的类型及产生原因,自激振荡的危害,如何进行检查判断,最后讲述了消除的方法.
42.覆膜阴极的特性分析
- 宋芳芳
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：这篇文章中主要介绍覆膜阴极的定义和特点,以及覆膜阴极在寿命及发射性能方面与普通钡钨阴极相比具有的优势.
43.GaAs IC的耐潮性评价
- 刘涌
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：最近,砷化镓集成电路(GaAs IC)在国际市场上的销售份额越来越大.无线和光纤电信应用范围的扩大将使IC成本下降.为了回应较低价格的期望,制造商将需要花钱较少的封装解决方案.为了在塑料封装和其它非气密封装中保持完好,GaAs IC必须具有耐潮性.本文描述了一整套用于鉴定塑封IC可靠性的试验以及用来调查耐潮性的专用试验.
44.扫描电子显微镜在破坏性物理分析(DPA)中的应用
- 徐爱斌;施明哲
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文就如何利用扫描电镜的高分辨、景深深和立体感强等一序列的技术特点,在DPA中对微电子器件的金属化互连异常缺陷部位进行定位观察和分析进行了探讨.
45.电脑主机板BGA焊接失效分析
- 罗道军
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文以某著名电脑主板的BGA贴装失效为例,介绍了对BGA贴装失效的分析过程与分析方法.同时找到了导致该BGA贴装失效的机理与原因,为有关各方进行工艺质量控制提供了及时有效的改进依据.
46.GaAs MMIC的MIM电容介质的TDDB特性
- 黄云;林丽;钮利荣
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文运用TDDB理论,研究分析了GaAs MMIC的MIM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计了不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价.Si<,3>N<,4>MIM电容的可靠性与其面积的成正比、与其周长成反比.
47.重点工程用密封元器件内部水汽控制技术
- 阳辉;吴文章
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文结合2002年大量重点工程配套用密封元器件内部水汽检测数据,重点分析了内部水汽与氮气、氧气、二氧化碳、氢气等的影响关系,介绍了内部各种有害气氛的来源及其危害性和控制技术.
48.几类潜在损伤对卫星用半导体器件可靠性的影响分析
- 张延伟
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：静电放电(ESD)、铝腐蚀和电迁移是几类导致半导体器件失效的原因,由于这几类因素导致的失效是一种潜在的、进行性的失效,具有一定的隐蔽性和不可预测性,因此会对卫星的在轨可靠性产生严重影响.本文从产生原因、危害和预防措施三个方面对这几类可以导致半导体器件产生潜在损伤的原因进行介绍.
49.Altera公司的塑封器件可靠性与试验
- 恩云飞
- 《2003第十届全国可靠性物理学术讨论会》 | 2003年
摘要：本文以Altera公司塑封器可靠性、试验技术为背景,介绍了塑封器件可靠性评价及试验技术方法,以及目前国际上通用的相关标准.