机译:具有改善的读/写裕度和可靠的恢复产量的多重共享7T1R非易失性SRAM
Anhui Univ Sch Elect & Informat Engn Hefei 230601 Peoples R China;
Nonvolatile memory; Random access memory; Transistors; Computer architecture; Microprocessors; Resistance; Power supplies; Low power; nonvolatile static random access memory (nvSRAM); resistive random access memory (RRAM); restore stability; sharing; single bitline;
机译:具有共享写位线方案和低功耗操作的选择性读取路径的两写入两读取多端口SRAM
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:用于即时启动的非易失性7T1R SRAM单元设计
机译:基于RRAM的7T1R非易失性SRAM,存储能量降低2倍,恢复能量降低94倍,适用于频繁关闭的即时启动应用
机译:我们必须在COVID-19上编写和共享有效且可靠的信息
机译:用于低功耗的恢复电路减少6T和8T SRAM单元的摆动,改进了读写边距