Dépôt de couches minces de NdNiO_3 sur Si (100) par pulvérisation cathodique

摘要

Des couches de NdNiO_3 présentant des transitions métal-isolant ont été déposées par pulvérisation cathodique sur substrats de silicium orienté (100). Les paramètres de dépôts et de recuits ont été optimisés. Nous avons obtenu de manière reproductible des couches transitant à 147K.%NdNiO_3 thin films with metal-insulator transition were deposited by RF sputtering and subsequent annealing under oxygen pressure on silicon (100). The deposition parameters and annealing conditions were optimized. Reproducible Metal-Insulator transition were obtained at 147 K.