...
机译:Si3N4(0001)表面电子结构的理论研究
USN, Res Lab, Washington, DC 20375 USA;
ab initio quantum chemical methods and calculations; photoelectron emission; surface relaxation and reconstruction; silicon nitride; DENSITY-FUNCTIONAL THEORY; SI(100)-(2 X-1) SURFACE; SILICON-NITRIDE; AB-INITIO; OPTICAL-PROPERTIES; BAND-GAPS; SI3N4; NH3; SPECTROSCOPY; BETA-SI3N4;
机译:HfB_2(0001)-X(X = Li-Ne)表面电子结构的理论研究
机译:Ga_(0.75)Al_(0.25)N(0001)表面的电子结构和光学性质的理论研究
机译:未重构的6H-SiC {0001}表面和外延石墨烯的原子和电子结构的第一性原理研究
机译:NIAS结构MNA(0001)和MNSB(0001)的表面电子结构和磁力
机译:纳米结构纳米结构的生长过程和电子性质的理论研究
机译:铁吸附对氧化锌(0001)表面电子和光催化性能的影响:第一性原理研究
机译:La(0001)和Lu(0001)的表面电子结构
机译:si3N4(0001)表面电子结构的理论研究。