机译:Stranski-Krastanov的生长机理以及失配符号对量子点成核的影响
Univ Autonoma Madrid, IFIMAC, Dept Fis Mat Condensada, Ctr Microanal Mat, E-28049 Madrid, Spain|Univ Autonoma Madrid, Inst Univ Nicolas Cabrera, E-28049 Madrid, Spain;
Bulgarian Acad Sci, Inst Phys Chem, BU-1113 Sofia, Bulgaria;
机译:量子点相干Stranski-Krastanov生长中的第二层成核
机译:竞争成核机理和InAs(100)表面上InAsSbP量子点和纳米坑的生长
机译:表面纳米线和纳米岛中的纳米级理想剪切成核的错配位错(量子点)
机译:研究具有较高(0.1 ML / sec)和较低(0.05 ML / sec)增长率的Stranski-Krastanov(SK)量子点异质结构上的异质耦合亚单层(SML)
机译:单分散胶体半导体量子点的形成机制:纳米级成核和生长的研究
机译:综合核心和生长的综合在可变温度下PBS胶体量子点
机译:stranski-Krastanov的成长机制和失配的影响 量子点成核
机译:以合金化和成核控制为核心的自组装量子点阵形成机理研究