机译:基于0.18 lim SOI CMOS技术的高压LDMOS晶体管的设计和优化
CNRS, LAAS, 7, Avenue du Colonel Roche, F-3W77 Toulouse, France,Universite de Toulouse, UPS, 1NSA, INP, ISAE, LAAS, F-31077 Toulouse, France;
Institute de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM-CSIC), Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain;
CNRS, LAAS, 7, Avenue du Colonel Roche, F-3W77 Toulouse, France,Universite de Toulouse, UPS, 1NSA, INP, ISAE, LAAS, F-31077 Toulouse, France;
ATMEL Rousset, Zone Industrielle, 13106 Rousset Cedex, France;
ATMEL Rousset, Zone Industrielle, 13106 Rousset Cedex, France;
ATMEL Rousset, Zone Industrielle, 13106 Rousset Cedex, France;
ldmos transistors; power integrated circuits; soi substrate; shallow trench isolation; level shifter circuits;
机译:采用0.18μm双极CMOS-DMOS技术优化横向双扩散MOS晶体管,适用于宽电压应用
机译:基于0.18μmSOI CMOS技术的LUDMOS晶体管安全工作区的分析和优化
机译:采用0.18 / spl mu / m片上系统CMOS技术的多阈值电压和多击穿电压CMOS器件设计点的质子公差
机译:0.18μmSOICMOS技术对Ludmos晶体管的分析与优化
机译:采用0.18μmCMOS技术的电流模式逻辑锁存器和预分频器设计优化。
机译:180Vpp集成线性放大器用于高压CMOS SOI技术中的超声成像应用
机译:电源管理集成电路CMOS低压磁盘稳压器设计0.18μm技术