机译:(hkl)InAs / GaSb超晶格中的Dresselhaus类自旋分裂
Department of Electronic Engineering, Far-East College, Hsin-Shih Town, Tainan, Taiwan, Republic of China;
机译:AlSb和InAs-GaSb层厚度对InAs / AlSb / GaSb II型超晶格中HH-LH分裂和带隙能的影响
机译:InAs / GaSb II型超晶格的结构和光学表征:固定的类似于InSb的界面的InAs和GaSb层厚度变化的影响
机译:GaAs衬底上InAs / GaSb超晶格的金属有机化学气相沉积生长及P-GaSb和N-InAs的掺杂研究
机译:键轨道模型求解的(hkl)InAs / GaSb超晶格中的界面杂键效应
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:高性能阳极硫化 - 预处理门控P + -IN-M-N + INAS / GASB超晶格长波长红外探测器
机译:(110)和(001)Inas / Gasb超晶格中的自旋弛豫
机译:非对称aIsb / Inas / Gasb / aIsb异质结构中自旋分裂和Rashba系数的研究