机译:单模InGaAs亚单层量子点光子晶体VCSEL
Nanophotonic Center, Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu 310, Taiwan;
机译:单模InGaAs亚单层量子点光子晶体垂直腔面发射激光器的特性
机译:在990 nm范围内发射的单模InGaAs亚单层量子点光子晶体VCSEL的特性
机译:InGaAs亚单层量子点和InAs量子点光子晶体垂直腔面发射激光器的特性
机译:基于亚麻籽子ingaas量子点的氧化物限制Vcsels中的自持脉动和信号峰值
机译:光子晶体中的量子点:从量子信息处理到单光子非线性光学。
机译:四能级量子点掺杂金属光子晶体中的量子干涉研究
机译:使用单模光子晶体光纤,单模VCSEL和SI-APD,850nm以850nm超过5km的10gb / s透射