机译:模拟AlGaN / GaN HEMT和GaN MESFET器件的瞬态响应中的表面状态效应
EUIT Industrial, Universidad de Castilla La Mancha, Fabrica de Armas, Avd. Carlos III s, 45071 Toledo, Spain;
机译:AlGaN / GaN HEMT和GaN MESFET器件中静态表面态的2D模拟
机译:分析场板对GaN MESFET和AlGaN / GaN HEMT中与缓冲器相关的滞后现象和电流崩溃的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT器件瞬态响应中的陷阱效应
机译:AlGaN / GaN Hemt和GaN MESFET器件中表面状态效果的数值2D模拟
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用于脉冲操作的AlGaN / GaN HEMT热设计优化的瞬态仿真
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)应力发展的电 - 热 - 力学瞬态建模(后印刷)。